دیود
مقدمه
دیودها جریان الکتریکی را در یک جهت از خود عبور میدهند و در جهت دیگر در مقابل عبور جریان از خود مقاومت بالایی نشان میدهند. این خاصیت آنها باعث شده بود تا در سالهای اولیه ساخت این وسیله الکترونیکی ، به آن دریچه یا Valve هم اطلاق شود. از لحاظ الکتریکی یک دیود هنگامی عبور جریان را از خود ممکن میسازد که شما با برقرار کردن ولتاژ در جهت درست (+ به آند و - به کاتد) آنرا آماده کار کنید. مقدار ولتاژی که باعث میشود تا دیود شروع به هدایت جریان الکتریکی نماید ولتاژ آستانه یا (forward voltage drop) نامیده میشود که چیزی حدود 0.6 تا 0.6 ولت میباشد.
ولتاژ معکوس
هنگامی که شما ولتاژ معکوس به دیود متصل میکنید (+ به کاتد و - به آند) جریانی از دیود عبور نمیکند، مگر جریان بسیار کمی که به جریان نشتی یا Leakage معرف است که در حدود چند µA یا حتی کمتر میباشد. این مقدار جریان معمولآ در اغلب مدارهای الکترونیکی قابل صرفنظر کردن بوده و تأثیر در رفتار سایر المانهای مدار نمیگذارد. اما نکته مهم آنکه تمام دیودها یک آستانه برای حداکثر ولتاژ معکوس دارند که اگر ولتاژ معکوس بیش از آن شود دیود میسوزد و جریان را در جهت معکوس هم عبور میدهد. به این ولتاژ آستانه شکست یا Breakdown گفته میشود.
دسته بندی دیودها
در دسته بندی اصلی ، دیودها را به سه قسمت اصلی تقسیم میکنند، دیودهای سیگنال (Signal) که برای آشکار سازی در رادیو بکار میروند و جریانی در حد میلی آمپر از خود عبور میدهند، دیودهای یکسو کننده (Rectifiers) که برای یکسو سازی جریانهای متناوب بکار برده میشوند و توانایی عبور جریانهای زیاد را دارند و بالاخره دیودهای زنر (Zener) که برای تثبیت ولتاژ از آنها استفاده میشود.
اختراع دیود پلاستیکی (plastic diode)
محققان فیزیک دانشگاه اوهایو (Ohio State University) توانستند دیود تونل پلیمری اختراع کنند. این قطعه الکترونیکی منجر به ساخت نسل آینده حافظههای پلاستیکی کامپیوتری و چیپهای مدارات منطقی خواهد شد. این قطعات کم مصرف و انعطاف پذیر خواهند بود. ایده اصلی از سال 2003 که یک دانشجوی کارشناسی دانشگاه اوهایو ، سیتا اسار ، شروع به طراحی سلول خورشیدی پلاستیکی نمود بوجود آمد. تیم پژوهشی توسط پاول برگر (Paul Berger) ، پروفسور الکترونیک و مهندسی کامپیوتر و همچنین پروفسور فیزیک دانشگاه اوهایو رهبری میشود.
دیود پیوندی :
| از پیوند دو نوع نیم رسانای n و p یک قطعه الکترونیکی به نام دیود بوجود میآید که در انواع مختلفی در سیستمهای مخابرات نوری ، نمایشگرهای دیجیتالی ، باتریهای خورشیدی و ... مورد استفاده قرار میگیرد. |
دید کلی
دیود یک قطعه الکترونیکی است که از به هم چسباندن دو نوع ماده n و p (هر دو از یک جنس ،
سیلیسیم یا ژرمانیم) ساخته میشود. چون دیود یک قطعه دو پایانه است، اعمال ولتاژ در دو سر پایانههایش سه حالت را پیش میآورد.
- دیود بی بایاس یا بدون تغذیه که ولتاژ دو سر دیود برابر صفر است و جریان خالص بار در هر جهت برابر صفر است.
- بایاس مستقیم یا تغذیه مستقیم که ولتاژ دو سر دیود بزرگتر از صفر است که الکترونها را در ماده n و حفرهها را در ماده p تحت فشار قرار میدهد تا یونهای مرزی با یکدیگر ترکیب شده و عرض ناحیه تهی کاهش یابد. (گرایش مستقیم دیود)
- تغذیه یا بایاس معکوس که ولتاژ دو سر دیود کوچکتر از صفر است، یعنی ولتاژ به دو سر دیود طوری وصل میشود که قطب مثبت آن به ماده n و قطب منفی آن به ماده p وصل گردد و به علت کشیده شدن یونها به کناره عرض ناحیه تهی افزایش مییابد (گرایش معکوس دیود).
دیودهای نور گسل
در دیودی که بایاس مستقیم دارد، الکترونهای
نوار رسانش از پیوندگاه عبور کرده و به داخل حفرهها میافتند. این الکترونها به هنگام صعود به نوار رسانش انرژی دریافت کرده بودند که به هنگام برگشت به
نوار ظرفیت انرژی دریافتی را مجددا تابش میکنند. در
دیودهای یکسوساز این انرژی به صورت گرما پس داده میشود، ولی دیودهای نور گسل LED این انرژی را به صورت فوتون تابش میکنند.
فوتودیودها
انرژی گرمایی باعث تولید حاملهای اقلیتی در دیود میگردد. با افزایش دما جریان دیود در بایس معکوس افزایش مییابد. انرژی نوری هم همانند انرژی گرمایی باعث بوجود آمدن حاملهای اقلیتی میگردد. کارخانههای سازنده با تعبیه روزنهای کوچک برای تابش نور به پیوندگاه دیودهایی را میسازند که
فوتودیود نامیده میشوند. وقتی نور خارجی به پیوندگاه یک
فوتودیود که بایس مستقیم دارد فرود آید، زوجهای الکترون _ حفره در داخل لایه تهی بوجود میآیند. هرچه نور شدیدتر باشد، مقدار حاملهای اقلیتی نوری افزایش یافته، در نتیجه جریان معکوس بزرگتر میشود. به این دلیل فوتودیودها را
آشکارسازهای نوری گویند.
وراکتور
نواحی p و n در دو طرف لایه تهی را میتوان مانند یک
خازن تخت موازی در نظر گرفت، ظرفیت این خازن تخت موازی را
ظرفیت خازن انتقال یا
ظرفیت پیوندگاه گویند. ظرفیت خازن انتقال C
T هر دیود با افزایش ولتاژ معکوس کاهش مییابد. دیودهای سیلسیم که برای این اثر ظرفیتی طراحی و بهینه شدهاند،
دیود با ظرفیت متغییر یا
وارکتور نام دارند. وراکتور موازی با یک القاگر تشکیل یک مدار تشدید را میدهد که با تغییر ولتاژ معکوس وراکتور میتوانیم فرکانس تشدید را تغییر بدهیم.
دیودهای شاتکی
دیود شاتکی یک وسیله تکقطبی است که در آن به جای استفاده از دو نوع نیمه هادی p و n متصل به هم ، معمولا از یک نوع نیم هادی
سیلیسیم نوع n با یک اتصال فلزی مانند طلا – نقره یا پلاتین استفاده میشود. در هر دو ماده
الکترون حامل اکثریت را تشکیل میدهد. وقتی که دو ماده به هم متصل میشوند، الکترونها در ماده سیلیسیم نوع n فورا به داخل فلز نفوذ میکنند و یک جریان سنگینی از بارهای اکثریت بوجود میآید. دیود شاتکی لایه تهی ذخیره بار ندارد. کاربرد این دیود در فرکانسهای خیلی بالاست.
دیودهای زنر
این دیود سیلیسیم برای کار در ناحیه شکست طراحی و بهینه شده است، گاهی آن را
دیود شکست هم میگویند. با تغییر میزان آلایش ، کارخانههای سازنده میتوانند دیودهای زنری بسازند که ولتاژ شکست آنها از دو تا دویست ولت تغییر کند. با اعمال ولتاژ معکوس که از
ولتاژ شکست زنر بگذرد، وسیلهای خواهیم داشت که مانند یک منبع ولتاژ ثابت عمل میکند.
وقتی غلظت آلایش در دیود خیلی زیاد باشد، لایه تهی بسیار باریک میشود. میدان الکتریکی در لایه تهی بسیار شدید است. میدان چنان شدید است که الکترونها را از مدارهای ظرفیت خارج میکند. ایجاد الکترونهای آزاد به این روش را
شکست زنر مینامیم.
کاربردها
قطعات
پیوندی p - n در صنعت الکترونیک از اهمیت ویژهای برخوردارند. به عنوان مثال دیودهای نور افشان LED در نمایشگرهای دیجیتالی و گسیلندههای نور قرمز GaAs و InP بویژه برای سیستمهای
مخابرات نوری مناسب هستند. آرایش لیزر نیم رسانا ،
آشکارساز نوری را میتوان در سیستم دیسک فشرده برای خواندن اطلاعات دیجیتال از دیسک چرخان مورد استفاده قرار داد.
کاربرد بسیار مهم پیوندها به عنوان باتریهای خورشیدی است که انرژی نوری جذب شده را به
انرژی الکتریکی مفید تبدیل میکنند. دیودهای با ظرفیت متغیر در تولید رمونیها ، مخرب فرکانسهای مایکروویو و
فیلترهای فعال است. دیودهای زنر به عنوان مرجع در مدارهایی که نیازمند مقدار معینی از ولتاژ هستند،
دیدکلی
دیود تونلی یک قطعه پیوندی p-n است که بر اساس تونل زنی مکانیک کوانتومی الکترونها از درون سد پتانسیل پیوند عمل میکند. چگونگی تونل زنی برای جریان معکوس در اصل اثر زنر است، هر چند مقدار اندکی گرایش معکوس برای شروع آن در دیودهای تونلی لازم است.
عملکرد دیود تونلی
دیود تونلی که شامل پیوند p-n است، در حالت تعادل تراز فرمی ، در سراسر آن ثابت است.( Eft در زیر لبه نوار ظرفیت طرف P قرار دارد و Efn بالای لبه نوار هدایت در طرف n واقع است). نوارها در مقیاس انرژی ، همپوشانی کردهاند تا Ef (انرژی فرعی) ثابت بماند. مفهوم آن اینست که با اندکی گرایش مستقیم یا معکوس وضعیتهای پر و خالی در مقابل هم قرار میگیرند که فاصله بین آنها اساسا پهنای ناحیه تهی است.
دیود تونلی تحت گرایش معکوس
تحت یک گرایش معکوس این امکان فراهم میشود که الکترونها از حالت پر نوار ظرفیت در زیر Eft به حالتهای خالی نوار هدایت در بالای Efn تونل بزنند. این شرایط مشابه اثر زنری است، با این تفاوت که هیچگونه گرایشی برای ایجاد حالت همپوشانی نوارها لازم نیست. با ادامه افزایش گرایش معکوس Efn به پایین آمدن خود در مقیاس انرژی نسبت به Efp ادامه داده و حالتهای پر بیشتری را از طرف p مقابل حالتهای خالی طرف n قرار میدهد. در نتیجه تونل زنی الکترونها از P به n با افزایش گرایش معکوس زیاد میشود.
دیود تونلی تحت گرایش مستقیم
وقتی یک گرایش مستقیم اعمال شود، Efn نسبت به Efp به اندازه qv در مقیاس انرژی افزایش مییابد. در نتیجه الکترونها زیر Efn در طرف n در مقابل وضعیتهای خالی بالای Efp در طرف P قرار میگیرند. این جریان مستقیم با افزایش گرایش مادامی که حالتهای پر بیشتری در مقابل حالتهای خالی قرار میگیرند، افزایش مییابد.
مقاومت فعال
در دیودهای تونلی با گرایش مستقیم ، هنگامی که Efn به افزایش خود نسبت به Efp ادامه میدهد، به نقطهای میرسیم که در آن نوارها از مقابل هم میگذرند. در این حالت تعداد حالتهای پر در مقابل حالتهای خالی کاهش مییابد. این ناحیه از این جهت اهمیت دارد که کاهش جریان تونل زنی با افزایش گرایش ناحیهای با شیب منفی تولید میکند. مقاومت فعال (دینامیک) dv/dt منفی است. این ناحیه با مقاومت منفی در بسیاری از کاربردها مفید است. اگر گرایش مستقیم بعد از ناحیه با مقاومت منفی افزایش یابد، جریان دوباره شروع به افزایش میکند.
کاربردهای مداری
مقاومت منفی دیود تونل را میتوان برای کلید زنی ، نوسان ، تقویت و سایر عملیات مداری مورد استفاده قرار داد. این حوزه وسیع کاربردی همراه با این واقعیت که فرایند تونل زنی تاخیر زمانی رانش و نفوذ را ندارد، دیود تونلی را یک انتخاب طبیعی برای مدارهای بسیار سریع ساخته است.
دیود نوری:
| قطعات دو پایانه طراحی شده برای پاسخ به جذب فوتون ، دیودهای نوری نامیده میشوند. از این قطعات پیوندی برای بهبودی سرعت پاسخ و حساسیت آشکارسازهای نوری یا تابشهای پرانرژی استفاده میشود. بیشترین کاربرد آنها در مخابرات نوری و باتریهای خورشیدی است. | |
دید کلی
قطعات دو پایانه طراحی شده برای پاسخ به جذب فوتون ، دیودهای نوری نامیده میشوند. برخی از دیودهای نوری سرعت پاسخ و حساسیت بسیار بالایی دارند. از آنجایی که الکترونیک نوین علاوه بر سیگنالهای الکتریکی اغلب دارای سیگنالهای نوری نیز میباشد، دیودهای نوری نقش مهمی را به عنوان قطعات الکترونیک ایفا میکنند. غالبا از قطعات پیوندی برای بهبودی سرعت پاسخ و حساسیت آشکارسازهای نوری یا تابشهای پر انرژی استفاده میشود.
ولتاژ و جریان در یک پیوند نور تابیده
رانش حاملین بار اقلیت در دو سر یک پیوند تولید جریان میکنند، بویژه حاملین بار تولید شده در ناحیه تهی w توسط میدان پیوند جدا شده الکترونها در ناحیه n و حفرهها در ناحیه p جمع میشوند. همچنین حاملین بار اقلیت که به صورت گرمایی در فاصله یک طول نفوذ از طرفین پیوند تولید میشوند، به ناحیه تهی نفوذ کرده و توسط میدان الکتریکی به طرف دیگر جاروب میشوند. اگر پیوند بطور یکنواخت توسط فوتونهای با انرژی hv>Eg تحت تابش قرار گیرد، یک نرخ تولید اضافی در این جریان مشارکت میکند و ولتاژ مستقیم در هر دو سر یک پیوند نور تابیده به نام پدیده فوتوولتائیک ایجاد میشود.
باتریهای خورشیدی
امروزه برای تأمین توان الکتریکی مورد نیاز بسیاری از ماهوارههای فضایی از آرایههای باتری خورشیدی از نوع پیوندی p-n استفاده میشود. باتریهای خورشیدی میتوانند توان مورد نیاز تجهیزات داخل یک ماهواره را در مدت زمان طولانی فراهم سازند. آرایههای پیوندی را میتوان در سطح ماهواره توزیع و یا اینکه در بالههای باتری خورشیدی متصل به بدنه اصلی ماهواره جا داد. برای بهره گیری از بیشترین مقدار انرژی نوری موجود ، لازم است که باتری خورشیدی دارای پیوندی با سطح مقطع بزرگ و در نزدیکی سطح قطعه باشد. پیوند سطحی توسط نفوذ یا کاشت یون تشکیل شده و برای جلوگیری از انعکاس و نیز کاهش بازترکیب ، سطح آن با مواد مناسب پوشیده میشود.
آشکارسازهای نوری
یک چنین قطعهای برای اندازه گیری سطوح روشنایی یا تبدیل سیگنالهای نوری متغیر با زمان به سیگنالهای الکتریکی وسیلهای مناسب است. در بیشتر آشکارسازهای نوری سرعت پاسخ آشکارساز بسیار مهم است. مرحله نفوذ حاملین بار امری زمانبر است و باید در صورت امکان حذف شود. پس مطلوب است که پهنای ناحیه تهی به اندازه کافی بزرگ باشد تا اکثر فوتونها بهجای نواحی خنثی n و p در درون ناحیه تهی جذب شوند. وقتی که یک EHP در ناحیه تهی بوجود آید، میدان الکتریکی ، الکترون را به طرف n و حفره را به طرف p میکشد. چون این رانش حاملین بار در زمان کوتاهی رخ میدهد، پاسخ دیود نوری میتواند بسیار سریع باشد. هنگامی که حاملین بار عمدتا در ناحیه تهی w ایجاد شوند، به آشکارساز یک دیود نوری لایه تهی گفته میشود. اگر w پهن باشد، اکثر فوتونهای تابشی در ناحیه تهی جذب خواهند شد. w پهن منجر به کاهش ظرفیت پیوند شده و در نتیجه ثابت زمانی مدار آشکارساز را کاهش میدهد.
نحوه کنترل پهنای ناحیه تهی
روش مناسب برای کنترل پهنای ناحیه تهی ساختن یک آشکارساز نوری p-i-n است. ناحیه i مادامی که مقاومت ویژه زیاد است، لزومی ندارد که حقیقتا ذاتی باشد. میتوان آن را به روش رونشستی روی بستر نوع n رشد داد و ناحیه p را توسط نفوذ ایجاد کرد. هنگامی که این قطعه در گرایش معکوس قرار میگیرد، ولتاژ وارده تقریبا بطور کامل در دو سر ناحیه i ظاهر میشود. برای آشکارسازی سیگنالهای نوری ضعیف اغلب مناسب است که دیود نوری در ناحیه شکست بهمنی مشخصهاش عمل کند.
نویز و پهنای باند آشکارسازهای نوری
در سیستمهای مخابرات نوری حساسیت آشکارسازهای نوری و زمان پاسخ آنها بسیار مهم است. متاسفانه این دو ویژگی عموما با هم بهینه نمیشوند. مثلا در یک آشکارساز نوری بهره به نسبت طول عمر حاملین بار به زمان گذار وابسته است. از سوی دیگر پاسخ فرکانسی نسبت عکس با طول عمر حاملین بار دارد. معمولا حاصلضرب بهره در پهنای باند را به عنوان ضریب شایستگی برای آشکارسازها ملاک قرار میدهند. طراحی برای افزایش بهره سبب کاهش پهنای باند میشود و برعکس ویژگی مهم دیگر آشکارسازها نسبت سیگنال به نویز است که مقدار اطلاعات مفید در مقایسه با نویز در زمینه آشکارساز را نشان میدهد. منبع اصلی نویز در نور رساناها نوسانات اتفاقی در جریان تاریک است. جریان نویز در تاریکی متناسب ، دما و رسانایی ماده افزایش مییابد. افزایش مقاومت تاریک همچنین بهره نور رسانا را افزایش داده و بالطبع باعث کاهش پهنای باند میشود.
کاربرد دیود نوری
کاربرد باتریهای خورشیدی محدود به فضای دور نیست. حتی با تضعیف شدت تابش خورشید توسط جو میتوان توسط این باتریها توان مفیدی را برای کاربردهای زمینی بدست آورد. یک باتری خوش ساخت از سیلیسیوم میتواند دارای بازده خوب در تبدیل انرژی الکتریکی باشد.
نگاه اجمالی
باتری خورشیدی یا سلولهای فوتو ولتایی ابزارهایی الکترونیکی هستند که با استفاده از پدیده فوتو ولتائیک ، نور یا فوتون را مستقیما به جریان و ولتاژ الکتریکی تبدیل میکنند. دانشمندان اولین باتری خورشیدی را در سال 1954 ، با استفاده از ماده نیمه رسانای سیلیسیوم ، در آزمایشگاههای تلفن بل ساختند.
سیر تحولی و رشد
دانشمندان و مهندسان بلافاصله به ارزش باتریهای خورشیدی برای تأمین انرژی ماهوارهها پیبردند، زیرا این باتریها جرم کمی دارند و هیچ بخش متحرک مکانیکی ندارند. نخستین ماهواره آمریکایی در فضا به باتریهای خورشیدی از جنس سیلیسیوم مجهز شد. و امروزه هم سلول فوتو ولتایی سیلیسیومی هنوز منبع قدرت همه سفینههای فضایی هستند. البته در این میان کاوشگرهایی که به فراسوی منظومه شمسی و مکان میانی که نور خورشید در آنجا ضعیف است رهسپار میشوند، استثنا هستند.
تهیه باتری خورشیدی
باتری خورشیدی اولیه از تک بلور سیلیسیوم (Si) ساخته میشد که روی صفحات تختی کنار هم قرار میگرفت. کاربرد این روش ، برای مصارف عمومی و تولید انرژی در فضایی بزرگ ، بسیار گران تمام میشود. هر چند ماده خام SiO2 برای تهیه Si فراوان است، اما پالایش شن و خالص سازی کافی Si برای تهیه باتریهای خورشید پر هزینه است. برش قطعات بلوری منفرد به صورت قطعه نازکی که ویفر نام دارند، نیازمند بریدن با الماس ، پرداخت بیشتر و بالاخره چندین عمل اضافی برای افزودن ناخالصیهای مناسب است.
کاهش هزینه ساخت
یک روش ممکن برای کاهش هزینه ، که در مورد بلوری گران قیمت نظیر Si و اخیرا گالیوم ارسنید (GuAs) ، استفاده از عدسی بزرگ و ارزان قیمت فرنل برای تمرکز نور روی سلول کوچک است. ضرایب تمرکز 25 تا 1000 با موفقیت بکار گرفته شده است. اگر چه طراحی تمرکز دهندهها نیاز به ردگیری دو بعدی وضعیت خورشید در طول روز است.
استفاده از مواد در باتری خورشیدی
طرح بسیار نوید بخش دیگری برای سلول فوتو ولتایی ، کاربرد ورقههای فیلمهای بسیار نازکی است که روی مواد نظیر شیشه یا فولاد زنگ نزن نشانده میشوند. سه ماده که به صورت ورقههای نازک (به ضخامت تقریبی 1 تا 3 میکرومتر) نتایج فوتوولتایی خوبی بدست دادهاند. عبارتند از: سیلیسیوم هیدروژن دار آدورف (α - Si:H) ، سی اندپوم دی سلیند (CuLnSe2 یا بطور ساده CIS) و کادمیوم تلورید (CdTe). ماده α - Si:H به صورت ورقههای نازک با ساختار آمورف ، ساختار چند بلوری با دانههایی به صورت ورقههای نازک با ساختار بلوری با دانههایی به اندازه حدود 1 میکرومتر کاربرد دارند.
خورشید فوتو ولتایی در باتری خورشیدی CdTe
فرآیند فوتو ولتایی در باتری خورشید CdTe در شکل زیر داده شده است. هر کوانتوم نور (فوتون) دارای انرژی hv است که در آن h ثابت پلانک و v بسامد نور است. (υ = C/λ) که در آن C سرعت نور و λ طول موج نور است). چنانچه انرژی فوتون بیشتر از گاف انرژی نیم رسانا (فاصله میان نوارهای نوارهای ظرفیت و رسانش) باشد، به آن صورت فوتون جذب ماده میشود و الکترونی را از نوار ظرفیت برانگیخته میکند و به نوار رسانش میبرد که الکترون در آنجا میتواند آزادانه درون بلور به حرکت در آید.
الکترون بار منفی دارد، اما حفره ایجاد شده در نوار ظرفیت دارای بار مثبت است. وقتی که الکترون حفره به سرعت از هم جدا نشوند، الکترون جذب حفره مثبت میشود و بدون ایجاد هیچ جریانی نابود خواهد شد. بنابراین لازم است که میدان الکتریکی برای جداسازی بارها برقرار شود. این کار با افزودن مقدار کمی ناخالصی آلاییده به نیم رسانا و ایجاد پیوندگاهی میان مناطق نوع n (که ذرات حامل بار در آن بار منفی دارند) و نوع p (که با ذرات حامل در آن مثبت است) انجام میشود، شکل 1 پیوند ناهمگنی را نشان میدهد که کادمیوم سولفید (CdS) نوع n و کادمیوم تلورید (CdTe) نوع p تشکیل شده است.
هنگامی که فوتون ، زوجهای الکترون - حفره را در نزدیکی این پیوندگاه n - p که در آن میدان الکتریکی قوی برقرار است ایجاد کند، فرآیند فوتو ولتایی بیشترین بازدهی را خواهد داشت. باتری خورشیدی در این حال حفظ به اتصال های فلزی نیاز دارد. تا با سیم هایی که به جریان الکتریکی در وسیله ای خارجی امکان عبور می دهند مرتبط شود. برای باتری CdS/CdTe ، اکسید قلع (SnO2) به عنوان اکسید رسانشی شفاف (TCO) برای اتصال به CdS نیز نیکل ، گرانیت ، یا طلا برای اتصال CdTe کاربرد دارند.
|
مزیت یا بازده باتریهای خورشیدی
باتری خورشیدی معمولا ولتاژهای قلهای تولید میکند که تقریبا معادل دو سوم گاف انرژی نیم رسانا است. گاف انرژی بهینه برابر 1.0 ev و 1.7 ev است. در روز صاف و هنگامی که آفتاب بالای سر است شدت نور خورشید تقریبا برابر 1000 w/m² است. مدول خورشیدی با بازدهی 10% ، در روز آفتابی توانی در حدود 100 ولت تولید میکند. با تابش خورشیدی بدون ابر ، در حد متوسط 6 ساعت در روز ، تعدادی مدول خورشیدی با مساحت 60 متر مربع تقریبا 1000 کیلو وات ساعت برق در هر ماه تولید میکند، این در همان حدود مقدار مصرفی است که در خانوادههای کشورهایی مانند ایالات متحده آمریکا دارد.